Wannpiezoelektrische PlattenkristallIst die Dotierung der Dotierung der Piezoelektrik -Keramikmaterial Mn niedrig, mn tritt hauptsächlich in das Kristallgitter ein.piezoelektrischer Wandlerdrucksensorverzerrt das Kristallgitter und fördert das Sintern des piezoelektrischen Keramikmaterials, das zum Kornwachstum führt. Wenn der Mn -Inhalt jedoch einen bestimmten Wert erreicht, mn vonPiezoelektrisches Platten -DatenblattAkkumuliert an den Korngrenzen, hält die Korngrenzen fest, behindert das Wachstum der Körner und verringert die Korngröße der Proben. Es ist auch aus dem Querschnittssekundärelektronenbild der Probe ersichtlich zum Volumen des Festigkeitseffekts, aber der wichtigere Faktor kann Mn -Doping sein. Dielektrische Eigenschaften von Piezoelektrikum -Scheiben -Ultraschalltransformator sind X- und Tan -W -Kurven für verschiedene MN -Dopingwerte bei Raumtemperatur. Aus der Abbildung ist ersichtlich, dass der Einbau von Mn die X und das Tan W abnimmt, wenn die Einbaumenge zunimmt. Wenn die Menge an Mn dotiert ≤ 0,4%, was zu \"harten\" Additiven gehört, tritt MN in das Gitter ein, die Proben zeigten Akzeptor -Doping -Eigenschaften, so dass die Dielektrizitätskonstante der Probe abnahm; Wenn der Mn -Doping R> 0,4%,Hochfrequenzpiezoelektrischer Kristalltritt in die Korngrenze ein, die Korngröße nimmt ab und die Kornverteilung ist auch sehr ungleichmäßig. Dies verringert auch X und Tan W. Größere Körner verringern die Spannung der Korngrenzen während der Polarisierung und verringern den Dielektrizitätsverlust, der eines der der der ist, die einer der der der ist. Gründe, warum Tan W mit zunehmendem Mn -Doping abnimmt. Die Curie -Temperatur in diesem Experiment wird durch Messung der relativen Dielektrizitätskonstante x und der Temperatur -T -Kurve gemessen, um die TC, die quaternäre piezoelektrische Keramik -TC- und D33- und Mn -Doping -Kurve zu messen. TCs Veränderungsgesetz ist genau das Gegenteil.
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